Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > UMG5NTR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5368451UMG5NTR Image.LAPIS Semiconductor

UMG5NTR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.084
6000+
$0.075
15000+
$0.067
30000+
$0.063
75000+
$0.056
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    UMG5NTR
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    UMT5
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    47 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    150mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    250MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Číslo základní části
    *MG5
UMG11NTR

UMG11NTR

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
XP0421M00L

XP0421M00L

Popis: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
BCR08PNE6327BTSA1

BCR08PNE6327BTSA1

Popis: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
UMG6NTR

UMG6NTR

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
UMG2NTR

UMG2NTR

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
PEMH9,115

PEMH9,115

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

Výrobci: Nexperia
Na skladě
UMG1NTR

UMG1NTR

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
UMG7NTR

UMG7NTR

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RN2965(TE85L,F)

RN2965(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
IMB11AT110

IMB11AT110

Popis: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
UMG8NTR

UMG8NTR

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
UMG9NTR

UMG9NTR

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
UMG3NTR

UMG3NTR

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
NP061A300A

NP061A300A

Popis: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
EMF21-7

EMF21-7

Popis: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DDA122LU-7-F

DDA122LU-7-F

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
UMG4NTR

UMG4NTR

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
UMG4N-7

UMG4N-7

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
PBLS2003D,115

PBLS2003D,115

Popis: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

Výrobci: Nexperia
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení