Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SP8M6FRATB
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2107292SP8M6FRATB Image.LAPIS Semiconductor

SP8M6FRATB

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.82
10+
$0.721
100+
$0.557
500+
$0.412
1000+
$0.33
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SP8M6FRATB
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.SP8M6FRATB.pdf
    2.SP8M6FRATB.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 1mA
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SOP
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Power - Max
    2W
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Ostatní jména
    SP8M6FRATBCT
  • Provozní teplota
    150°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    230pF @ 10V, 490pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A (Ta), 3.5A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta), 3.5A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SP8M6FRATB“.
SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M5FU6TB

SP8M5FU6TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M6FU6TB

SP8M6FU6TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M5TB

SP8M5TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M8FU6TB

SP8M8FU6TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M70TB1

SP8M70TB1

Popis: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M51TB1

SP8M51TB1

Popis: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M6TB

SP8M6TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M4FRATB

SP8M4FRATB

Popis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M3TB

SP8M3TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M24FRATB

SP8M24FRATB

Popis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M51FRATB

SP8M51FRATB

Popis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M9FU6TB

SP8M9FU6TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M8TB

SP8M8TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M7FU6TB

SP8M7FU6TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M5FRATB

SP8M5FRATB

Popis: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M9TB

SP8M9TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
SP8M7TB

SP8M7TB

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.