Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > RSS105N03FU6TB
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
48626

RSS105N03FU6TB

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RSS105N03FU6TB
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RSS105N03FU6TB.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SOP
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    11.7 mOhm @ 10.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1130pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 10.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    10.5A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RSS105N03FU6TB“.
RSS100N03TB

RSS100N03TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS130N03FU6TB

RSS130N03FU6TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

Popis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS105N03TB

RSS105N03TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS0J221MCN1GS

RSS0J221MCN1GS

Popis: CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V SMD

Výrobci: Nichicon
Na skladě
RFQ
RSS100N03FU6TB

RSS100N03FU6TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS120N03TB

RSS120N03TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS090P03TB

RSS090P03TB

Popis: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS110N03FU6TB

RSS110N03FU6TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS110N03TB

RSS110N03TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS095N05FU6TB

RSS095N05FU6TB

Popis: MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS0E561MCN1GS

RSS0E561MCN1GS

Popis: CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V SMD

Výrobci: Nichicon
Na skladě
RFQ
RSS125N03TB

RSS125N03TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS100N03FRATB

RSS100N03FRATB

Popis: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS125N03FU6TB

RSS125N03FU6TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS0J101MCN1GS

RSS0J101MCN1GS

Popis: CAP ALUM POLY 100UF 20% 6.3V SMD

Výrobci: Nichicon
Na skladě
RFQ
RSS120N03FU6TB

RSS120N03FU6TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RSS1C101MCN1GS

RSS1C101MCN1GS

Popis: CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V SMD

Výrobci: Nichicon
Na skladě
RFQ
RSS0J331MCN1GS

RSS0J331MCN1GS

Popis: CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V SMD

Výrobci: Nichicon
Na skladě
RFQ
RSS140N03TB

RSS140N03TB

Popis: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.