Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > RAL025P01TCR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
131127RAL025P01TCR Image.LAPIS Semiconductor

RAL025P01TCR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.63
10+
$0.444
100+
$0.292
500+
$0.172
1000+
$0.133
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RAL025P01TCR
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.RAL025P01TCR.pdf
    2.RAL025P01TCR.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    -8V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TUMT6
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    320mW (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    6-SMD, Flat Leads
  • Ostatní jména
    RAL025P01TCRCT
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 6V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    12V
  • Detailní popis
    P-Channel 12V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RAL025P01TCR“.
IRF7807VD1

IRF7807VD1

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IXTH90N15T

IXTH90N15T

Popis: MOSFET N-CH 150V 90A TO247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
RAL045P01TCR

RAL045P01TCR

Popis: MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
NTB30N20

NTB30N20

Popis: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDB8832-F085

FDB8832-F085

Popis: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
STD19NF20

STD19NF20

Popis: MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
FDP12N60NZ

FDP12N60NZ

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
NVTFS5C471NLWFTAG

NVTFS5C471NLWFTAG

Popis: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRF6100PBF

IRF6100PBF

Popis: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
NTTFS5820NLTWG

NTTFS5820NLTWG

Popis: MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRFS3307

IRFS3307

Popis: MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
RAL035P01TCR

RAL035P01TCR

Popis: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
94-4764

94-4764

Popis: MOSFET N-CH 30V 140A TO-262

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
STF20NM60D

STF20NM60D

Popis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
IXTC220N075T

IXTC220N075T

Popis: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IXTV18N60PS

IXTV18N60PS

Popis: MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
AOL1208

AOL1208

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.