Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN2990UFZ-7B
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3605627DMN2990UFZ-7B Image.Diodes Incorporated

DMN2990UFZ-7B

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.63
10+
$0.447
100+
$0.293
500+
$0.173
1000+
$0.133
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN2990UFZ-7B
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN2990UFZ-7B.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    X2-DFN0606-3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    990 mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    320mW (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    3-XFDFN
  • Ostatní jména
    DMN2990UFZ-7BDICT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    55.2pF @ 16V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    0.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.2V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    N-Channel 20V 250mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)
  • Číslo základní části
    DMN2990

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN2990UFZ-7B“.
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Popis: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Popis: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Popis: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Popis: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Popis: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.