Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R6025ANZC8
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1351542R6025ANZC8 Image.LAPIS Semiconductor

R6025ANZC8

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$6.47
10+
$5.779
100+
$4.739
500+
$3.837
1000+
$3.236
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R6025ANZC8
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    R6025ANZC8.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-3PF
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    150W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-3P-3 Full Pack
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3250pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „R6025ANZC8“.
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Popis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.