Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R5013ANJTL
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4397298R5013ANJTL Image.LAPIS Semiconductor

R5013ANJTL

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$2.093
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R5013ANJTL
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    R5013ANJTL.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    LPTS
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    100W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    500V
  • Detailní popis
    N-Channel 500V 13A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „R5013ANJTL“.
R5013ANXFU6

R5013ANXFU6

Popis: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R5011FNX

R5011FNX

Popis: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R5011615XXWA

R5011615XXWA

Popis: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5016FNJTL

R5016FNJTL

Popis: MOSFET N-CH 500V 16A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R5016FNX

R5016FNX

Popis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R5011215XXWA

R5011215XXWA

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5020213LSWA

R5020213LSWA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5016ANX

R5016ANX

Popis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R5020210RSWA

R5020210RSWA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5011415XXWA

R5011415XXWA

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5011ANJTL

R5011ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R5011410XXWA

R5011410XXWA

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5020218FSWA

R5020218FSWA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5020410RSWA

R5020410RSWA

Popis: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5019ANJTL

R5019ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R5011610XXWA

R5011610XXWA

Popis: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5011ANX

R5011ANX

Popis: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R5011415XXZT

R5011415XXZT

Popis: RECTIFIER 1400V 150A DO-8 REV

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R5011FNJTL

R5011FNJTL

Popis: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.