Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > IMB4AT110
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4193936IMB4AT110 Image.LAPIS Semiconductor

IMB4AT110

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IMB4AT110
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IMB4AT110.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    SMT6
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    -
  • Rezistor - základna (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    300mW
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    SC-74, SOT-457
  • Ostatní jména
    IMB4AT110CT
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    250MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    -
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Číslo základní části
    MB4

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IMB4AT110“.
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IMB36654M12

IMB36654M12

Popis: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Výrobci: Crouzet
Na skladě
RFQ
IMB5AT108

IMB5AT108

Popis: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
IMB36654C

IMB36654C

Popis: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Výrobci: Crouzet
Na skladě
RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

Popis: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Výrobci: Crouzet
Na skladě
RFQ
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IMB36656C

IMB36656C

Popis: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Výrobci: Crouzet
Na skladě
RFQ
IMB3AT110

IMB3AT110

Popis: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
IMB36652C

IMB36652C

Popis: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

Výrobci: Crouzet
Na skladě
RFQ
IMB36656M12

IMB36656M12

Popis: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Výrobci: Crouzet
Na skladě
RFQ
IMB36654M8

IMB36654M8

Popis: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Výrobci: Crouzet
Na skladě
RFQ
IMB36652M8

IMB36652M8

Popis: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

Výrobci: Crouzet
Na skladě
RFQ
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IMB9AT110

IMB9AT110

Popis: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
IMB7AT108

IMB7AT108

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IMB36652M12

IMB36652M12

Popis: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12

Výrobci: Crouzet
Na skladě
RFQ
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.