Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPD80R360P7ATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4916228IPD80R360P7ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R360P7ATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$1.191
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPD80R360P7ATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPD80R360P7ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.5V @ 280µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TO252-3
  • Série
    CoolMOS™ P7
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 5.6A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    84W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    IPD80R360P7ATMA1TR
    SP001633516
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    930pF @ 500V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 13A (Tc) 84W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    13A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPD80R360P7ATMA1“.
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R600P7ATMA1

IPD80R600P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R750P7ATMA1

IPD80R750P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R4K5P7ATMA1

IPD80R4K5P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R900P7ATMA1

IPD80R900P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD90N03S4L02ATMA1

IPD90N03S4L02ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD90N03S4L03ATMA1

IPD90N03S4L03ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD85P04P4L06ATMA1

IPD85P04P4L06ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD85P04P407ATMA1

IPD85P04P407ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.