Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPD80R1K4CEBTMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4110528IPD80R1K4CEBTMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R1K4CEBTMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.13
10+
$1.009
100+
$0.787
500+
$0.65
1000+
$0.513
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPD80R1K4CEBTMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPD80R1K4CEBTMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.9V @ 240µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252-3
  • Série
    CoolMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    63W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    IPD80R1K4CEBTMA1CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    570pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPD80R1K4CEBTMA1“.
IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

Popis: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Popis: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.