Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > MMIX1T132N50P3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2215262MMIX1T132N50P3 Image.IXYS Corporation

MMIX1T132N50P3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$43.49
20+
$40.666
100+
$35.259
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MMIX1T132N50P3
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    SMPD HIPERFETS & MOSFETS
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.MMIX1T132N50P3.pdf
    2.MMIX1T132N50P3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    Polar3™
  • Série
    Polar™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    43 mOhm @ 66A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    520W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    24-PowerSMD, 22 Leads
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    26 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    18600pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    267nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    500V
  • Detailní popis
    N-Channel 500V 63A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount Polar3™
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    63A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MMIX1T132N50P3“.
MMIX1T550N055T2

MMIX1T550N055T2

Popis: MOSFET N-CH 55V 550A SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1Y100N120C3H1

MMIX1Y100N120C3H1

Popis: IGBT 1200V 92A 400W SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1F360N15T2

MMIX1F360N15T2

Popis: MOSFET N-CH 150V 235A

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX4B20N300

MMIX4B20N300

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1F520N075T2

MMIX1F520N075T2

Popis: MOSFET N-CH 75V 500A

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX4G20N250

MMIX4G20N250

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1G120N120A3V1

MMIX1G120N120A3V1

Popis: IGBT 1200V 220A 400W SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1X200N60B3H1

MMIX1X200N60B3H1

Popis: IGBT 600V 175A 520W SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1X100N60B3H1

MMIX1X100N60B3H1

Popis: IGBT 600V 145A 400W SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1F210N30P3

MMIX1F210N30P3

Popis: MOSFET N-CH 300V 108A MMIX

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1X200N60B3

MMIX1X200N60B3

Popis: IGBT 600V 223A 625W SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1F420N10T

MMIX1F420N10T

Popis: MOSFET N-CH 100V 334A SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1F40N110P

MMIX1F40N110P

Popis: MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1F230N20T

MMIX1F230N20T

Popis: MOSFET N-CH 200V 168A SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1T600N04T2

MMIX1T600N04T2

Popis: MOSFET N-CH 40V 600A SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1G320N60B3

MMIX1G320N60B3

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1H60N150V1

MMIX1H60N150V1

Popis: THYRISTOR MOS 1500V 60A SMPD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX2F60N50P3

MMIX2F60N50P3

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1X340N65B4

MMIX1X340N65B4

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
MMIX1F44N100Q3

MMIX1F44N100Q3

Popis: MOSFET N-CH 1000V 30A

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.