Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTY1R4N120PHV
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1008646

IXTY1R4N120PHV

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
70+
$2.588
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTY1R4N120PHV
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH
  • Stav volného vedení / RoHS
  • Datasheety
    IXTY1R4N120PHV.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252
  • Série
    Polar™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    13 Ohm @ 700mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    86W (Tc)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    666pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    24.8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V
  • Detailní popis
    N-Channel 1200V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTY1R4N120PHV“.
IXTY1N120P

IXTY1N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1N80

IXTY1N80

Popis: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1R4N60P

IXTY1R4N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY26P10T

IXTY26P10T

Popis: MOSFET P-CH 100V 26A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY2N100P

IXTY2N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1R4N60P TRL

IXTY1R4N60P TRL

Popis: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY2N60P

IXTY2N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1R4N100P

IXTY1R4N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1N100P

IXTY1N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY12N06TTRL

IXTY12N06TTRL

Popis: MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY18P10T

IXTY18P10T

Popis: MOSFET P-CH 100V 18A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY24N15T

IXTY24N15T

Popis: MOSFET N-CH 150V 24A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY15P15T

IXTY15P15T

Popis: MOSFET P-CH 150V 15A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1N80P

IXTY1N80P

Popis: MOSFET N-CH 800V 1A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

Popis: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY15N20T

IXTY15N20T

Popis: MOSFET N-CH 200V 15A TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTY2N65X2

IXTY2N65X2

Popis: MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.