Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTT34N65X2HV
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6424325

IXTT34N65X2HV

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$6.271
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTT34N65X2HV
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH
  • Stav volného vedení / RoHS
  • Datasheety
    IXTT34N65X2HV.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-268HV
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    96 mOhm @ 17A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    540W (Tc)
  • Paket / krabice
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    54nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    650V
  • Detailní popis
    N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268HV
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTT34N65X2HV“.
IXTT40N50L2

IXTT40N50L2

Popis: MOSFET N-CH 500V 40A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT30N60P

IXTT30N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT440N04T4HV

IXTT440N04T4HV

Popis: 40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT36N50P

IXTT36N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT30N50L

IXTT30N50L

Popis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT30N60L2

IXTT30N60L2

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

Popis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT500N04T2

IXTT500N04T2

Popis: MOSFET N-CH 40V 500A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT24P20

IXTT24P20

Popis: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT36P10

IXTT36P10

Popis: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

Popis: MOSFET N-CH 55V 360A TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT48P20P

IXTT48P20P

Popis: MOSFET P-CH 200V 48A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

Popis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

Popis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Popis: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT440N055T2

IXTT440N055T2

Popis: MOSFET N-CH 55V 440A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

Popis: MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.