Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTT170N10P
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3624489IXTT170N10P Image.IXYS Corporation

IXTT170N10P

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$8.841
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTT170N10P
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXTT170N10P.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-268
  • Série
    Polar™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    715W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    6000pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    198nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 170A (Tc) 715W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    170A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTT170N10P“.
IXTT16P60P

IXTT16P60P

Popis: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT24P20

IXTT24P20

Popis: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT26N60P

IXTT26N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT1N450HV

IXTT1N450HV

Popis: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT20P50P

IXTT20P50P

Popis: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT26N50P

IXTT26N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

Popis: MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2

Popis: MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV

Popis: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

Popis: MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT16N50D2

IXTT16N50D2

Popis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT1N100

IXTT1N100

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT20N50D

IXTT20N50D

Popis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT12N150

IXTT12N150

Popis: MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT12N140

IXTT12N140

Popis: MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT140P10T

IXTT140P10T

Popis: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

Popis: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

Popis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT16P20

IXTT16P20

Popis: MOSFET P-CH 200V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV

Popis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.