Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTT12N150
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5449246IXTT12N150 Image.IXYS Corporation

IXTT12N150

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$11.063
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTT12N150
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXTT12N150.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-268
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 6A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    890W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3720pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    106nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1500V
  • Detailní popis
    N-Channel 1500V 12A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTT12N150“.
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2

Popis: MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT120N15P

IXTT120N15P

Popis: MOSFET N-CH 150V 120A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT10N100D2

IXTT10N100D2

Popis: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT110N10P

IXTT110N10P

Popis: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT10N100D

IXTT10N100D

Popis: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT12N140

IXTT12N140

Popis: MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT16P60P

IXTT16P60P

Popis: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT10P50

IXTT10P50

Popis: MOSFET P-CH 500V 10A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT110N10L2

IXTT110N10L2

Popis: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT10P60

IXTT10P60

Popis: MOSFET P-CH 600V 10A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

Popis: MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT1N100

IXTT1N100

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

Popis: MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

Popis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT170N10P

IXTT170N10P

Popis: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT16P20

IXTT16P20

Popis: MOSFET P-CH 200V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT16N50D2

IXTT16N50D2

Popis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT11P50

IXTT11P50

Popis: MOSFET P-CH 500V 11A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT140P10T

IXTT140P10T

Popis: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT100N25P

IXTT100N25P

Popis: MOSFET N-CH 250V 100A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.