Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTP08N100D2
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6823059IXTP08N100D2 Image.IXYS Corporation

IXTP08N100D2

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.93
50+
$1.553
100+
$1.397
500+
$1.087
1000+
$0.90
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTP08N100D2
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXTP08N100D2.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220AB
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    21 Ohm @ 400mA, 0V
  • Ztráta energie (Max)
    60W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    325pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    14.6nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    Depletion Mode
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    -
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1000V
  • Detailní popis
    N-Channel 1000V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    800mA (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTP08N100D2“.
IXTP05N100P

IXTP05N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP10N60PM

IXTP10N60PM

Popis: MOSFET N-CH 600V 5A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP08N120P

IXTP08N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP10P15T

IXTP10P15T

Popis: MOSFET P-CH 150V 10A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP05N100M

IXTP05N100M

Popis: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP05N100

IXTP05N100

Popis: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTN90N25L2

IXTN90N25L2

Popis: MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP08N50D2

IXTP08N50D2

Popis: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTN8N150L

IXTN8N150L

Popis: MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP02N50D

IXTP02N50D

Popis: MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP10P50P

IXTP10P50P

Popis: MOSFET P-CH 500V 10A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP06N120P

IXTP06N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP110N055P

IXTP110N055P

Popis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTN90P20P

IXTN90P20P

Popis: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP102N15T

IXTP102N15T

Popis: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP01N100D

IXTP01N100D

Popis: MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP10N60P

IXTP10N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP08N100P

IXTP08N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP02N120P

IXTP02N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTP100N04T2

IXTP100N04T2

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.