Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTD1R4N60P 11
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
7057227

IXTD1R4N60P 11

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTD1R4N60P 11
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5.5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    Die
  • Série
    PolarHV™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    9 Ohm @ 700mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    50W (Tc)
  • Paket / krabice
    Die
  • Ostatní jména
    IXTD1R4N60P11
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    140pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    5.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount Die
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTD1R4N60P 11“.
IXTC230N085T

IXTC230N085T

Popis: MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTF1N450

IXTF1N450

Popis: MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTC72N30T

IXTC72N30T

Popis: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTC280N055T

IXTC280N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTD2N60P-1J

IXTD2N60P-1J

Popis: MOSFET N-CH 600

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTC26N50P

IXTC26N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTF02N450

IXTF02N450

Popis: MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTC75N10

IXTC75N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTE250N10

IXTE250N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTC36P15P

IXTC36P15P

Popis: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTF03N400

IXTF03N400

Popis: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTD3N60P-2J

IXTD3N60P-2J

Popis: MOSFET N-CH 600

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTC62N15P

IXTC62N15P

Popis: MOSFET N-CH ISOPLUS-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTD4N80P-3J

IXTD4N80P-3J

Popis: MOSFET N-CH 800

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTD5N100A

IXTD5N100A

Popis: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTC250N075T

IXTC250N075T

Popis: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTC220N075T

IXTC220N075T

Popis: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTC240N055T

IXTC240N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTD3N50P-2J

IXTD3N50P-2J

Popis: MOSFET N-CH 500

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTF1N400

IXTF1N400

Popis: MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.