Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > IXGT30N60C2
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6564885IXGT30N60C2 Image.IXYS Corporation

IXGT30N60C2

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXGT30N60C2
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 70A 190W TO268
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXGT30N60C2.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 24A
  • Zkušební podmínky
    400V, 24A, 5 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    13ns/70ns
  • přepínání energie
    290µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-268
  • Série
    HiPerFAST™
  • Power - Max
    190W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    PT
  • Gate Charge
    70nC
  • Detailní popis
    IGBT PT 600V 70A 190W Surface Mount TO-268
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    150A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    70A
  • Číslo základní části
    IXG*30N60

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXGT30N60C2“.
IXGT28N120B

IXGT28N120B

Popis: IGBT 1200V 50A 250W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT31N60D1

IXGT31N60D1

Popis: IGBT 600V 60A 150W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT32N170A

IXGT32N170A

Popis: IGBT 1700V 32A 350W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT28N120BD1

IXGT28N120BD1

Popis: IGBT 1200V 50A 250W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT30N120BD1

IXGT30N120BD1

Popis: IGBT 1200V TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT30N60B

IXGT30N60B

Popis: IGBT 600V 60A 200W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT32N60C

IXGT32N60C

Popis: IGBT 600V 60A 200W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT32N60BD1

IXGT32N60BD1

Popis: IGBT 600V 60A 200W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT30N60B2

IXGT30N60B2

Popis: IGBT 600V 70A 190W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT32N170 TRL

IXGT32N170 TRL

Popis: IGBT 1700V 75A 350W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT32N90B2

IXGT32N90B2

Popis: IGBT 900V 64A 300W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT32N170

IXGT32N170

Popis: IGBT 1700V 75A 350W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT30N120B3D1

IXGT30N120B3D1

Popis: IGBT 1200V 300W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT32N120A3

IXGT32N120A3

Popis: IGBT 1200V 75A 300W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT32N90B2D1

IXGT32N90B2D1

Popis: IGBT 900V 64A 300W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT30N60B2D1

IXGT30N60B2D1

Popis: IGBT 600V 70A 190W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT28N60B

IXGT28N60B

Popis: IGBT 600V 40A 150W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT28N60BD1

IXGT28N60BD1

Popis: IGBT 600V 40A 150W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT2N250

IXGT2N250

Popis: IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGT30N60C2D1

IXGT30N60C2D1

Popis: IGBT 600V 70A 190W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.