Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFT18N90P
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2731118IXFT18N90P Image.IXYS Corporation

IXFT18N90P

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$9.854
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXFT18N90P
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 900V 18A TO268
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXFT18N90P.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-268
  • Série
    HiPerFET™, PolarP2™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    540W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    5230pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    97nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    900V
  • Detailní popis
    N-Channel 900V 18A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXFT18N90P“.
IXFT21N50Q

IXFT21N50Q

Popis: MOSFET N-CH 500V 21A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT1874 TR

IXFT1874 TR

Popis: MOSFET N-CH TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT15N80Q

IXFT15N80Q

Popis: MOSFET N-CH 800V 15A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT180N20X3HV

IXFT180N20X3HV

Popis: 200V/180A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT15N100Q3

IXFT15N100Q3

Popis: MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT16N120P

IXFT16N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT20N100P

IXFT20N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT17N80Q

IXFT17N80Q

Popis: MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT20N80Q

IXFT20N80Q

Popis: MOSFET N-CH 800V 20A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT16N80P

IXFT16N80P

Popis: MOSFET N-CH 800V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT220N20X3HV

IXFT220N20X3HV

Popis: 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT23N60Q

IXFT23N60Q

Popis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT24N50

IXFT24N50

Popis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT24N50Q

IXFT24N50Q

Popis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3

Popis: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT20N80P

IXFT20N80P

Popis: MOSFET N-CH 800V 20A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT23N80Q

IXFT23N80Q

Popis: MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT16N90Q

IXFT16N90Q

Popis: MOSFET N-CH 900V 16A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT20N60Q

IXFT20N60Q

Popis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFT170N25X3HV

IXFT170N25X3HV

Popis: MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.