Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFQ12N80P
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5291382IXFQ12N80P Image.IXYS Corporation

IXFQ12N80P

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$4.037
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXFQ12N80P
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXFQ12N80P.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5.5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-3P
  • Série
    HiPerFET™, PolarHT™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    850 mOhm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    360W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    14 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2800pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXFQ12N80P“.
IXFQ24N50P2

IXFQ24N50P2

Popis: 500V POLAR2 HIPERFETS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP8N50PM

IXFP8N50PM

Popis: MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP90N20X3M

IXFP90N20X3M

Popis: 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ21N50Q

IXFQ21N50Q

Popis: MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ14N80P

IXFQ14N80P

Popis: MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP8N65X2

IXFP8N65X2

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP8N85X

IXFP8N85X

Popis: MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP90N20X3

IXFP90N20X3

Popis: 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ10N80P

IXFQ10N80P

Popis: MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP8N50P3

IXFP8N50P3

Popis: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ26N50

IXFQ26N50

Popis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-30

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ23N60Q

IXFQ23N60Q

Popis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP80N25X3

IXFP80N25X3

Popis: MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ20N50P3

IXFQ20N50P3

Popis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ120N25X3

IXFQ120N25X3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ22N60P3

IXFQ22N60P3

Popis: MOSFET N-CH 600V 22A TO3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ24N60X

IXFQ24N60X

Popis: MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ24N50Q

IXFQ24N50Q

Popis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFQ140N20X3

IXFQ140N20X3

Popis: 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP8N85XM

IXFP8N85XM

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.