Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFN82N60Q3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5530389IXFN82N60Q3 Image.IXYS Corporation

IXFN82N60Q3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$49.63
10+
$46.415
100+
$40.244
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXFN82N60Q3
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXFN82N60Q3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    6.5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-227B
  • Série
    HiPerFET™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 41A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    960W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    13500pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    275nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    66A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXFN82N60Q3“.
IXFP12N50PM

IXFP12N50PM

Popis: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN73N30Q

IXFN73N30Q

Popis: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN82N60P

IXFN82N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN90N30

IXFN90N30

Popis: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP10N80P

IXFP10N80P

Popis: MOSFET N-CH 800V 10A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN80N48

IXFN80N48

Popis: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP10N60P

IXFP10N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

Popis: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP12N50P

IXFP12N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN94N50P2

IXFN94N50P2

Popis: 500V POLAR2 HIPERFETS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN73N30

IXFN73N30

Popis: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP110N15T2

IXFP110N15T2

Popis: MOSFET N-CH 150V 110A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

Popis: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN80N50

IXFN80N50

Popis: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN72N55Q2

IXFN72N55Q2

Popis: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP102N15T

IXFP102N15T

Popis: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN90N85X

IXFN90N85X

Popis: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

Popis: MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFP12N65X2

IXFP12N65X2

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN80N50P

IXFN80N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.