Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFM35N30
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6198009

IXFM35N30

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXFM35N30
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    POWER MOSFET TO-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXFM35N30.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-204AE
  • Série
    HiPerFET™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    300W (Tc)
  • Paket / krabice
    TO-204AE
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4800pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    200nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    300V
  • Detailní popis
    N-Channel 300V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXFM35N30“.
IXFM15N60

IXFM15N60

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFL60N80P

IXFL60N80P

Popis: MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFM1766

IXFM1766

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFM10N90

IXFM10N90

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN100N20

IXFN100N20

Popis: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFL70N60Q2

IXFL70N60Q2

Popis: MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN100N25

IXFN100N25

Popis: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFM42N20

IXFM42N20

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFM11N80

IXFM11N80

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFM1633

IXFM1633

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN100N50P

IXFN100N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3

Popis: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN100N10S1

IXFN100N10S1

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFL82N60P

IXFL82N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFM1627

IXFM1627

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFL80N50Q2

IXFL80N50Q2

Popis: MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.