Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFH60N65X2-4
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1036655

IXFH60N65X2-4

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$9.43
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXFH60N65X2-4
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH
  • Stav volného vedení / RoHS
  • Datasheety
    IXFH60N65X2-4.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247-4L
  • Série
    HiPerFET™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    52 mOhm @ 30A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    780W (Tc)
  • Paket / krabice
    TO-247-4
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    6300pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    108nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    650V
  • Detailní popis
    N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXFH60N65X2-4“.
IXFH6N90

IXFH6N90

Popis: MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH6N120

IXFH6N120

Popis: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH66N20Q

IXFH66N20Q

Popis: MOSFET N-CH 200V 66A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH60N60X

IXFH60N60X

Popis: MOSFET N-CH 600V 60A TO247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH60N20

IXFH60N20

Popis: MOSFET N-CH 200V 60A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH58N20Q

IXFH58N20Q

Popis: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH69N30P

IXFH69N30P

Popis: MOSFET N-CH 300V 69A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH67N10

IXFH67N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH6N100Q

IXFH6N100Q

Popis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH6N120P

IXFH6N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH58N20

IXFH58N20

Popis: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH60N50P3

IXFH60N50P3

Popis: MOSFET N-CH 500V 60A TO247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH52N50P2

IXFH52N50P2

Popis: MOSFET N-CH 500V 52A TO247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH56N30X3

IXFH56N30X3

Popis: 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH52N30Q

IXFH52N30Q

Popis: MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH6N100

IXFH6N100

Popis: MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH60N25Q

IXFH60N25Q

Popis: MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH60N65X2

IXFH60N65X2

Popis: MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH67N10Q

IXFH67N10Q

Popis: MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH6N100F

IXFH6N100F

Popis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Výrobci: IXYS RF
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.