Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFH110N10P
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2409495IXFH110N10P Image.IXYS Corporation

IXFH110N10P

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$5.434
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXFH110N10P
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXFH110N10P.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247AD (IXFH)
  • Série
    PolarHT™ HiPerFET™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    480W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3550pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 110A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXFH110N10P“.
IXFH100N30X3

IXFH100N30X3

Popis: 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH120N25X3

IXFH120N25X3

Popis: MOSFET N-CH 250V 120A TO247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH110N15T2

IXFH110N15T2

Popis: MOSFET N-CH 150V 110A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH10N80P

IXFH10N80P

Popis: MOSFET N-CH 800V 10A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFG55N50

IXFG55N50

Popis: MOSFET N-CH 500V 48A ISO264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH120N30X3

IXFH120N30X3

Popis: 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH10N100

IXFH10N100

Popis: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH110N25T

IXFH110N25T

Popis: MOSFET N-CH 250V 110A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH11N80

IXFH11N80

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH120N25T

IXFH120N25T

Popis: MOSFET N-CH 250V 120A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFF24N100

IXFF24N100

Popis: MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH12N100F

IXFH12N100F

Popis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD

Výrobci: IXYS RF
Na skladě
RFQ
IXFH102N15T

IXFH102N15T

Popis: MOSFET N-CH 150V 102A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH120N20P

IXFH120N20P

Popis: MOSFET N-CH 200V 120A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH10N100P

IXFH10N100P

Popis: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH120N15P

IXFH120N15P

Popis: MOSFET N-CH 150V 120A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH12N100

IXFH12N100

Popis: MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH10N90

IXFH10N90

Popis: MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH100N25P

IXFH100N25P

Popis: MOSFET N-CH 250V 100A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFH10N100Q

IXFH10N100Q

Popis: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.