Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > IS43DR86400C-3DBLI-TR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
407433

IS43DR86400C-3DBLI-TR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$7.259
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IS43DR86400C-3DBLI-TR
  • Výrobce / značka
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IS43DR86400C-3DBLI-TR.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    15ns
  • Napětí - Supply
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technika
    SDRAM - DDR2
  • Dodavatel zařízení Package
    60-TWBGA (8x10.5)
  • Série
    -
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    60-TFBGA
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    512Mb (64M x 8)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x10.5)
  • Frekvence hodin
    333MHz
  • přístupová doba
    450ps

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IS43DR86400C-3DBLI-TR“.
IS43DR82560C-3DBLI-TR

IS43DR82560C-3DBLI-TR

Popis: IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400C-3DBI-TR

IS43DR86400C-3DBI-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400E-25DBLI-TR

IS43DR86400E-25DBLI-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400C-25DBL

IS43DR86400C-25DBL

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400D-25DBLI-TR

IS43DR86400D-25DBLI-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400C-25DBLI

IS43DR86400C-25DBLI

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400C-3DBLI

IS43DR86400C-3DBLI

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400E-3DBL

IS43DR86400E-3DBL

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400C-25DBL-TR

IS43DR86400C-25DBL-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400C-3DBI

IS43DR86400C-3DBI

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400E-25DBL

IS43DR86400E-25DBL

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400C-3DBL-TR

IS43DR86400C-3DBL-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400D-3DBI

IS43DR86400D-3DBI

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400D-3DBLI-TR

IS43DR86400D-3DBLI-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400E-25DBLI

IS43DR86400E-25DBLI

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400C-3DBL

IS43DR86400C-3DBL

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400D-3DBLI

IS43DR86400D-3DBLI

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400D-25DBLI

IS43DR86400D-25DBLI

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400D-3DBI-TR

IS43DR86400D-3DBI-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS43DR86400C-25DBLI-TR

IS43DR86400C-25DBLI-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.