Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > IS42RM16800H-6BLI-TR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1947156IS42RM16800H-6BLI-TR Image.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42RM16800H-6BLI-TR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$5.181
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IS42RM16800H-6BLI-TR
  • Výrobce / značka
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IS42RM16800H-6BLI-TR.pdf
  • Napište čas cyklu - slovo,
    -
  • Napětí - Supply
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technika
    SDRAM - Mobile
  • Dodavatel zařízení Package
    54-TFBGA (8x8)
  • Série
    -
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    54-TFBGA
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ paměti
    Volatile
  • Velikost paměti
    128Mb (8M x 16)
  • Paměťové rozhraní
    Parallel
  • Formát paměti
    DRAM
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    SDRAM - Mobile Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-TFBGA (8x8)
  • Frekvence hodin
    166MHz
  • přístupová doba
    5.5ns

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IS42RM16800H-6BLI-TR“.
IS42RM16200D-75BLI

IS42RM16200D-75BLI

Popis: IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16800H-6BLI

IS42RM16800H-6BLI

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16800G-6BLI-TR

IS42RM16800G-6BLI-TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM32100D-6BLI-TR

IS42RM32100D-6BLI-TR

Popis: IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM32160C-75BL-TR

IS42RM32160C-75BL-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM32100D-75BLI-TR

IS42RM32100D-75BLI-TR

Popis: IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16200C-75BLI-TR

IS42RM16200C-75BLI-TR

Popis: IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM32160C-75BLI-TR

IS42RM32160C-75BLI-TR

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM32160C-75BLI

IS42RM32160C-75BLI

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16800H-75BLI

IS42RM16800H-75BLI

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM32160C-75BL

IS42RM32160C-75BL

Popis: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16200D-75BLI-TR

IS42RM16200D-75BLI-TR

Popis: IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM32100D-6BLI

IS42RM32100D-6BLI

Popis: IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16800G-6BLI

IS42RM16800G-6BLI

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16800H-75BLI-TR

IS42RM16800H-75BLI-TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM32100D-75BLI

IS42RM32100D-75BLI

Popis: IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16200D-6BLI

IS42RM16200D-6BLI

Popis: IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16800G-75BLI-TR

IS42RM16800G-75BLI-TR

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16800G-75BLI

IS42RM16800G-75BLI

Popis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
IS42RM16200D-6BLI-TR

IS42RM16200D-6BLI-TR

Popis: IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

Výrobci: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.