Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > LSIC1MO120E0160
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1906622LSIC1MO120E0160 Image.Hamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0160

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$17.20
10+
$15.64
25+
$14.467
100+
$13.294
250+
$12.121
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    LSIC1MO120E0160
  • Výrobce / značka
    Hamlin / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    LSIC1MO120E0160.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Technika
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247-3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    200 mOhm @ 10A, 20V
  • Ztráta energie (Max)
    125W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Ostatní jména
    F11005
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    29 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    870pF @ 800V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    57nC @ 20V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    20V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V
  • Detailní popis
    N-Channel 1200V 22A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „LSIC1MO120E0160“.
IRFZ34STRL

IRFZ34STRL

Popis: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Popis: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
AOI516

AOI516

Popis: MOSFET N-CH 30V 17A TO251A

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
FDP22N50N

FDP22N50N

Popis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Popis: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
BUZ30A

BUZ30A

Popis: MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
FCB36N60NTM

FCB36N60NTM

Popis: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
AOW296

AOW296

Popis: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
STP4NK60ZFP

STP4NK60ZFP

Popis: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
FQD12P10TM

FQD12P10TM

Popis: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
AOD472

AOD472

Popis: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
AO6701

AO6701

Popis: MOSFET P-CH 30V 2.3A 6TSOP

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.