Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > LSIC1MO120E0120
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4865040LSIC1MO120E0120 Image.Hamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0120

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$21.51
10+
$19.55
25+
$18.084
100+
$16.618
250+
$15.151
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    LSIC1MO120E0120
  • Výrobce / značka
    Hamlin / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    LSIC1MO120E0120.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 7mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Technika
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247-3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 14A, 20V
  • Ztráta energie (Max)
    139W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Ostatní jména
    F11004
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    29 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1125pF @ 800V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 20V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    20V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V
  • Detailní popis
    N-Channel 1200V 27A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    27A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „LSIC1MO120E0120“.
NDS9435A

NDS9435A

Popis: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
GKI07174

GKI07174

Popis: MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN

Výrobci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Popis: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
IPP040N06N3GXKSA1

IPP040N06N3GXKSA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
BUK725R0-40C,118

BUK725R0-40C,118

Popis: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
FQAF12P20

FQAF12P20

Popis: MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQP3N80C

FQP3N80C

Popis: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPAN60R650CEXKSA1

IPAN60R650CEXKSA1

Popis: MOSFET NCH 600V 9.9A TO220

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Popis: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Výrobci: Hamlin / Littelfuse
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.