Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > GP2M008A060HG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1229375GP2M008A060HG Image.Global Power Technologies Group

GP2M008A060HG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    GP2M008A060HG
  • Výrobce / značka
    SemiQ
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    GP2M008A060HG.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    120W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1063pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 7.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    7.5A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „GP2M008A060HG“.
GP2M008A060FG

GP2M008A060FG

Popis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Popis: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M005A060FG

GP2M005A060FG

Popis: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Popis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Popis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M007A080F

GP2M007A080F

Popis: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

Popis: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M005A060PGH

GP2M005A060PGH

Popis: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M005A060HG

GP2M005A060HG

Popis: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

Popis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M005A060PG

GP2M005A060PG

Popis: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

Popis: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Popis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Popis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Popis: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

Popis: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Popis: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.