Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > GP1M008A080FH
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6586632GP1M008A080FH Image.Global Power Technologies Group

GP1M008A080FH

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    GP1M008A080FH
  • Výrobce / značka
    SemiQ
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    GP1M008A080FH.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220F
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 4A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    40.3W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-220-3 Full Pack
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1921pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „GP1M008A080FH“.
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Popis: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Popis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Popis: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

Popis: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Popis: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

Popis: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Popis: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Popis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Popis: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Popis: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Popis: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Popis: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Popis: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Popis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Popis: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Popis: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Popis: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M007A090H

GP1M007A090H

Popis: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

Popis: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Popis: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.