Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > GA20JT12-247
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2685039GA20JT12-247 Image.GeneSiC Semiconductor

GA20JT12-247

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    GA20JT12-247
  • Výrobce / značka
    GeneSiC Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS SJT 1.2KV 20A
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    GA20JT12-247.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Technika
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247AB
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 20A
  • Ztráta energie (Max)
    282W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Ostatní jména
    1242-1188
    GA20JT12247
  • Provozní teplota
    175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ FET
    -
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    -
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V
  • Detailní popis
    1200V 20A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „GA20JT12-247“.
GA200-005WD

GA200-005WD

Popis: SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA20JT12-263

GA20JT12-263

Popis: TRANS SJT 1200V 45A

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA2.2K3D210

GA2.2K3D210

Popis: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA242QR7E2102MW01L

GA242QR7E2102MW01L

Popis: CAP CER 1000PF 250VAC X7R 1808

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
GA200-015WD

GA200-015WD

Popis: SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA2.2K3A1IA

GA2.2K3A1IA

Popis: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA242QR7E2471MW01L

GA242QR7E2471MW01L

Popis: CAP CER 470PF 250VAC X7R 1808

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
GA243QR7E2222MW01L

GA243QR7E2222MW01L

Popis: CAP CER 2200PF 250VAC X7R 1812

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
GA243QR7E2103MW01L

GA243QR7E2103MW01L

Popis: CAP CER 10000PF 250VAC X7R 1812

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
GA201AE3

GA201AE3

Popis: SCR

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
GA200SA60S

GA200SA60S

Popis: IGBT STD 600V 100A SOT227

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA243DR7E2473MW01L

GA243DR7E2473MW01L

Popis: CAP CER 0.047UF 250VAC X7R 1812

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
GA243QR7E2223MW01L

GA243QR7E2223MW01L

Popis: CAP CER 0.022UF 250VAC X7R 1812

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
GA200-001PD

GA200-001PD

Popis: SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA20SICP12-247

GA20SICP12-247

Popis: TRANS SJT 1200V 45A TO247

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA20SICP12-263

GA20SICP12-263

Popis: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA200SA60U

GA200SA60U

Popis: IGBT UFAST 600V 100A SOT227

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA2.2K3A1A

GA2.2K3A1A

Popis: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA243DR7E2472MW01L

GA243DR7E2472MW01L

Popis: CAP CER 4700PF 250VAC X7R 1812

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
GA200-010WD

GA200-010WD

Popis: SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.