Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > GA03JT12-247
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
797996GA03JT12-247 Image.GeneSiC Semiconductor

GA03JT12-247

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    GA03JT12-247
  • Výrobce / značka
    GeneSiC Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    GA03JT12-247.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Technika
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247AB
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    460 mOhm @ 3A
  • Ztráta energie (Max)
    15W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Ostatní jména
    1242-1164
    GA03JT12247
  • Provozní teplota
    175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ FET
    -
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    -
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V
  • Detailní popis
    1200V 3A (Tc) (95°C) 15W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc) (95°C)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „GA03JT12-247“.
GA0402A100JXBAC31G

GA0402A100JXBAC31G

Popis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA01PNS150-220

GA01PNS150-220

Popis: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA0402A100GXAAC31G

GA0402A100GXAAC31G

Popis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100GXXAC31G

GA0402A100GXXAC31G

Popis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100JXAAP31G

GA0402A100JXAAP31G

Popis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100JXXAC31G

GA0402A100JXXAC31G

Popis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA03IDDJT30-FR4

GA03IDDJT30-FR4

Popis: BOARD GATE DRIVER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA0402A100FXBAP31G

GA0402A100FXBAP31G

Popis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100KXAAC31G

GA0402A100KXAAC31G

Popis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100JXXAP31G

GA0402A100JXXAP31G

Popis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100FXAAP31G

GA0402A100FXAAP31G

Popis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100FXXAP31G

GA0402A100FXXAP31G

Popis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100JXBAP31G

GA0402A100JXBAP31G

Popis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

Popis: DIODE SILICON CARBIDE 8KV

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA0381M

GA0381M

Popis: SPEAKER 8OHM 200MW TOP PORT 79DB

Výrobci: CUI, Inc.
Na skladě
RFQ
GA0402A100GXAAP31G

GA0402A100GXAAP31G

Popis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100GXBAP31G

GA0402A100GXBAP31G

Popis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100GXXAP31G

GA0402A100GXXAP31G

Popis: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100GXBAC31G

GA0402A100GXBAC31G

Popis: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
GA0402A100JXAAC31G

GA0402A100JXAAC31G

Popis: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.