Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Izolátory > Izolátory - ovladače brány > SI8261BAD-C-IS
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5690314SI8261BAD-C-IS Image.Energy Micro (Silicon Labs)

SI8261BAD-C-IS

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.95
25+
$1.88
100+
$1.808
1000+
$1.65
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI8261BAD-C-IS
  • Výrobce / značka
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI8261BAD-C-IS.pdf
  • Napětí - Supply
    6.5 V ~ 30 V
  • Napětí - Izolace
    5000Vrms
  • Napětí - vpřed (Vf) (typ)
    2.8V (Max)
  • Technika
    Capacitive Coupling
  • Dodavatel zařízení Package
    6-SDIP
  • Série
    Automotive, AEC-Q100
  • Doba vzestupu / pádu (typ)
    5.5ns, 8.5ns
  • Šíření impulzní šířky (Max)
    28ns
  • Propagační zpoždění tpLH / tpHL (Max)
    60ns, 50ns
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 125°C
  • Počet kanálů
    1
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Výrobní standardní doba výroby
    6 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detailní popis
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
  • Proud - Špičkový výkon
    4A
  • Aktuální - Výstup High, Low
    500mA, 1.2A
  • Proud - DC dopředu (pokud) (Max)
    30mA
  • Přechodná imunita společného režimu (Min)
    35kV/µs
  • schválení
    CQC, CSA, UR, VDE

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI8261BAD-C-IS“.
SI8261BAC-C-IPR

SI8261BAC-C-IPR

Popis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BAD-C-ISR

SI8261BAD-C-ISR

Popis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BBC-C-IPR

SI8261BBC-C-IPR

Popis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BBC-C-ISR

SI8261BBC-C-ISR

Popis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BBD-C-IMR

SI8261BBD-C-IMR

Popis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BAD-C-IM

SI8261BAD-C-IM

Popis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BBC-C-IP

SI8261BBC-C-IP

Popis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BBA-C-IS

SI8261BBA-C-IS

Popis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BBD-C-IM

SI8261BBD-C-IM

Popis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BAA-C-ISR

SI8261BAA-C-ISR

Popis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261ACD-C-IS

SI8261ACD-C-IS

Popis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BAC-C-IS

SI8261BAC-C-IS

Popis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BBD-C-IS

SI8261BBD-C-IS

Popis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BAC-C-IP

SI8261BAC-C-IP

Popis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BBA-C-ISR

SI8261BBA-C-ISR

Popis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261ACD-C-ISR

SI8261ACD-C-ISR

Popis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BAC-C-ISR

SI8261BAC-C-ISR

Popis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BBC-C-IS

SI8261BBC-C-IS

Popis: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BAD-C-IMR

SI8261BAD-C-IMR

Popis: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8261BAA-C-IS

SI8261BAA-C-IS

Popis: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.