Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SQJQ900E-T1_GE3

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

6260119

SQJQ900E-T1_GE3 Image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ900E-T1_GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

2000+

$1.108

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SQJQ900E-T1_GE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SQJQ900E-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

2.5V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package

PowerPAK® 8 x 8 Dual
Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 20A, 10V
Power - Max

75W
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

PowerPAK® 8 x 8 Dual
Ostatní jména

SQJQ900E-T1_GE3TR
Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

5900pF @ 20V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET Feature

Standard
Drain na zdroj napětí (Vdss)

40V
Detailní popis

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 75W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SQJQ900E-T1_GE3“.

SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 40V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ980EL-T1_GE3

SQJQ980EL-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.