Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SQJ262EP-T1_GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1725684SQJ262EP-T1_GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ262EP-T1_GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.34
10+
$1.19
100+
$0.94
500+
$0.729
1000+
$0.576
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SQJ262EP-T1_GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SQJ262EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Série
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
  • Power - Max
    27W (Tc), 48W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Ostatní jména
    SQJ262EP-T1_GE3DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V, 23nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc), 40A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SQJ262EP-T1_GE3“.
SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

Popis: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ244EP-T1_GE3

SQJ244EP-T1_GE3

Popis: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ148EP-T1_GE3

SQJ148EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 15A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Popis: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 23A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Popis: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.