Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIR640ADP-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5312037SIR640ADP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR640ADP-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.963
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIR640ADP-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIR640ADP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8
  • Ostatní jména
    SIR640ADP-T1-GE3TR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4240pF @ 20V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 41.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    41.6A (Ta), 100A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIR640ADP-T1-GE3“.
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR67-21C/TR8

SIR67-21C/TR8

Popis: EMITTER IR 875NM 65MA SMD

Výrobci: Everlight Electronics
Na skladě
RFQ
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.