Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIR618DP-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3694202SIR618DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR618DP-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.38
10+
$1.225
100+
$0.968
500+
$0.751
1000+
$0.593
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIR618DP-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIR618DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    ThunderFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    95 mOhm @ 8A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    48W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8
  • Ostatní jména
    SIR618DP-T1-GE3DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 7.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    7.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    200V
  • Detailní popis
    N-Channel 200V 14.2A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    14.2A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIR618DP-T1-GE3“.
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR496DP-T1-GE3

SIR496DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR482DP-T1-GE3

SIR482DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR484DP-T1-GE3

SIR484DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR476DP-T1-GE3

SIR476DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR492DP-T1-GE3

SIR492DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR494DP-T1-GE3

SIR494DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR606BDP-T1-RE3

SIR606BDP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.