Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIJ458DP-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2394434SIJ458DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJ458DP-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIJ458DP-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIJ458DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    5W (Ta), 69.4W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8
  • Ostatní jména
    SIJ458DP-T1-GE3CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4810pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIJ458DP-T1-GE3“.
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SFT1431-TL-W

SFT1431-TL-W

Popis: MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SPD07N60C3T

SPD07N60C3T

Popis: MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
STB6NK60Z-1

STB6NK60Z-1

Popis: MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
IRF610STRR

IRF610STRR

Popis: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.