Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIHJ8N60E-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5311371SIHJ8N60E-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHJ8N60E-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$2.60
10+
$2.351
100+
$1.89
500+
$1.47
1000+
$1.218
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIHJ8N60E-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIHJ8N60E-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    520 mOhm @ 4A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    89W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8
  • Ostatní jména
    SIHJ8N60E-T1-GE3CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    754pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIHJ8N60E-T1-GE3“.
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP11N80E-GE3

SIHP11N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

Popis: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHJ6N65E-T1-GE3

SIHJ6N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP10N40D-E3

SIHP10N40D-E3

Popis: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

Popis: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.