Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIHH21N65EF-T1-GE3

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

5998489

SIHH21N65EF-T1-GE3 Image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHH21N65EF-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

3000+

$3.743

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SIHH21N65EF-T1-GE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SIHH21N65EF-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

PowerPAK® 8 x 8
Série

-
RDS On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 11A, 10V
Ztráta energie (Max)

156W (Tc)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

8-PowerTDFN
Ostatní jména

SIHH21N65EF-T1-GE3TR
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

20 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2396pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

650V
Detailní popis

N-Channel 650V 19.8A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

19.8A (Tc)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SIHH21N65EF-T1-GE3“.

SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH21N60EF-T1-GE3

SIHH21N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH21N60E-T1-GE3

SIHH21N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH14N60E-T1-GE3

SIHH14N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHJ6N65E-T1-GE3

SIHJ6N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH14N60EF-T1-GE3

SIHH14N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH20N50E-T1-GE3

SIHH20N50E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 22A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.