Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIHH21N60EF-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
275325SIHH21N60EF-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHH21N60EF-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$6.92
10+
$6.174
100+
$5.063
500+
$4.10
1000+
$3.458
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIHH21N60EF-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIHH21N60EF-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® 8 x 8
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    185 mOhm @ 11A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    174W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    SIHH21N60EF-T1-GE3CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2035pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 19A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    19A (Tc)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIHH21N60EF-T1-GE3“.
SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH20N50E-T1-GE3

SIHH20N50E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 22A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH11N65E-T1-GE3

SIHH11N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH14N60E-T1-GE3

SIHH14N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH21N65EF-T1-GE3

SIHH21N65EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH14N60EF-T1-GE3

SIHH14N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH21N60E-T1-GE3

SIHH21N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHH11N65EF-T1-GE3

SIHH11N65EF-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.