Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIB411DK-T1-E3

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

2753249

SIB411DK-T1-E3 Image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB411DK-T1-E3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SIB411DK-T1-E3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SIB411DK-T1-E3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

PowerPAK® SC-75-6L Single
Série

TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

66 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Ztráta energie (Max)

2.4W (Ta), 13W (Tc)
Obal

Cut Tape (CT)
Paket / krabice

PowerPAK® SC-75-6L
Ostatní jména

SIB411DK-T1-E3CT
SIB411DKT1E3
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V
Typ FET

P-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

1.8V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

20V
Detailní popis

P-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SIB411DK-T1-E3“.

SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB-128-02-F-S

SIB-128-02-F-S

Popis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Výrobci: Samtec, Inc.

Na skladě

SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Popis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Výrobci: Samtec, Inc.

Na skladě

SIB412DK-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB-129-02-F-S-LC

SIB-129-02-F-S-LC

Popis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Výrobci: Samtec, Inc.

Na skladě

SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Popis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Výrobci: Samtec, Inc.

Na skladě

SIB-129-02-F-S

SIB-129-02-F-S

Popis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Výrobci: Samtec, Inc.

Na skladě

SIB-128-02-F-S-LC

SIB-128-02-F-S-LC

Popis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Výrobci: Samtec, Inc.

Na skladě

SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.