Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIAA00DJ-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2832048SIAA00DJ-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIAA00DJ-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.86
10+
$0.756
100+
$0.583
500+
$0.432
1000+
$0.346
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIAA00DJ-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CHAN 25V
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIAA00DJ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +16V, -12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Série
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.6 mOhm @ 15A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SC-70-6
  • Ostatní jména
    SIAA00DJ-T1-GE3CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1090pF @ 12.5V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    25V
  • Detailní popis
    N-Channel 25V 20.1A (Ta), 40A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    20.1A (Ta), 40A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIAA00DJ-T1-GE3“.
SIAERO+-EVB

SIAERO+-EVB

Popis: BOARD EVAL FOR AERO+

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SIAA40DJ-T1-GE3

SIAA40DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 30A SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA922EDJ-T1-GE3

SIA922EDJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA950DJ-T1-GE3

SIA950DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA917DJ-T1-GE3

SIA917DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA918EDJ-T1-GE3

SIA918EDJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA915DJ-T4-GE3

SIA915DJ-T4-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA921EDJ-T4-GE3

SIA921EDJ-T4-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA929DJ-T1-GE3

SIA929DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA923AEDJ-T1-GE3

SIA923AEDJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA914DJ-T1-E3

SIA914DJ-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA914DJ-T1-GE3

SIA914DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA928DJ-T1-GE3

SIA928DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA923EDJ-T1-GE3

SIA923EDJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA936EDJ-T1-GE3

SIA936EDJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA920DJ-T1-GE3

SIA920DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIA915DJ-T1-GE3

SIA915DJ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.