Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI8816EDB-T2-E1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5275079SI8816EDB-T2-E1 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8816EDB-T2-E1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.67
10+
$0.526
100+
$0.361
500+
$0.247
1000+
$0.185
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI8816EDB-T2-E1
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI8816EDB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    4-Microfoot
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    109 mOhm @ 1A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    500mW (Ta)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    4-XFBGA
  • Ostatní jména
    SI8816EDB-T2-E1DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    46 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    195pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    2.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    -

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI8816EDB-T2-E1“.
SI87XXSOIC8-KIT

SI87XXSOIC8-KIT

Popis: KIT EVAL GW 8SOIC SI871X

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI88220BC-IS

SI88220BC-IS

Popis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI88221EC-IS

SI88221EC-IS

Popis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8805EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

Popis: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI88220EC-ISR

SI88220EC-ISR

Popis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI88220BC-ISR

SI88220BC-ISR

Popis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI88221BC-IS

SI88221BC-IS

Popis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8812DB-T2-E1

SI8812DB-T2-E1

Popis: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI8819EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1

Popis: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI8817DB-T2-E1

SI8817DB-T2-E1

Popis: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

Popis: MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1

Popis: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI87XXSDIP6-KIT

SI87XXSDIP6-KIT

Popis: KIT EVAL SI871X SO-6

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8806DB-T2-E1

SI8806DB-T2-E1

Popis: MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI88220EC-IS

SI88220EC-IS

Popis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

Popis: MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI8809EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1

Popis: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI8810EDB-T2-E1

SI8810EDB-T2-E1

Popis: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI88221BC-ISR

SI88221BC-ISR

Popis: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI8802DB-T2-E1

SI8802DB-T2-E1

Popis: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.