Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI8457DB-T1-E1

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

6676944

SI8457DB-T1-E1 Image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8457DB-T1-E1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

1+

$0.74

10+

$0.621

100+

$0.466

500+

$0.341

1000+

$0.264

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SI8457DB-T1-E1
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SI8457DB-T1-E1.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Série

TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 3A, 4.5V
Ztráta energie (Max)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Obal

Cut Tape (CT)
Paket / krabice

4-UFBGA
Ostatní jména

SI8457DB-T1-E1CT
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 6V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 8V
Typ FET

P-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

1.8V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

12V
Detailní popis

P-Channel 12V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

-

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SI8457DB-T1-E1“.

SI8460AA-B-IS1

Popis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8460AA-B-IS1R

SI8460AA-B-IS1R

Popis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8460AB-B-IS1

Popis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BB-A-IS1

Popis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8460AA-A-IS1R

SI8460AA-A-IS1R

Popis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BB-B-IS

Popis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BA-B-IS1

Popis: DGTL ISO 1KV 5CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BA-B-IS

Popis: DGTL ISO 1KV 5CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8460BA-A-IS1

Popis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BA-B-IUR

Popis: DGTL ISO 1KV 5CH GEN PURP 16QSOP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8460AB-B-IS1R

SI8460AB-B-IS1R

Popis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BA-B-IS1R

SI8455BA-B-IS1R

Popis: DGTL ISO 1KV 5CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BB-B-IS1R

SI8455BB-B-IS1R

Popis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BB-A-IS1R

SI8455BB-A-IS1R

Popis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BB-B-IS1

Popis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8460BA-A-IS1R

SI8460BA-A-IS1R

Popis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8460AA-A-IS1

Popis: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8455BA-B-IU

Popis: DGTL ISO 1KV 5CH GEN PURP 16QSOP

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8460AB-A-IS1

Popis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI8460AB-A-IS1R

SI8460AB-A-IS1R

Popis: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.