Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SI7962DP-T1-E3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2099172SI7962DP-T1-E3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7962DP-T1-E3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$2.17
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI7962DP-T1-E3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI7962DP-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 11.1A, 10V
  • Power - Max
    1.4W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Ostatní jména
    SI7962DP-T1-E3TR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    13 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    7.1A
  • Číslo základní části
    SI7962

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI7962DP-T1-E3“.
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7980DP-T1-GE3

SI7980DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7983DP-T1-E3

SI7983DP-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7980DP-T1-E3

SI7980DP-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7994DP-T1-GE3

SI7994DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.