Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SI6562CDQ-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2652836SI6562CDQ-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI6562CDQ-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.25
10+
$1.111
100+
$0.878
500+
$0.681
1000+
$0.538
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI6562CDQ-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.5V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    8-TSSOP
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • Power - Max
    1.6W, 1.7W
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Ostatní jména
    SI6562CDQ-T1-GE3CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6.7A, 6.1A
  • Číslo základní části
    SI6562

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI6562CDQ-T1-GE3“.
SI6562DQ-T1-GE3

SI6562DQ-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6924AEDQ-T1-E3

SI6924AEDQ-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6562DQ-T1-E3

SI6562DQ-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6466ADQ-T1-E3

SI6466ADQ-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6469DQ-T1-GE3

SI6469DQ-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6544BDQ-T1-E3

SI6544BDQ-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6466ADQ-T1-GE3

SI6466ADQ-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6473DQ-T1-E3

SI6473DQ-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6469DQ-T1-E3

SI6469DQ-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6913DQ-T1-E3

SI6913DQ-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6467BDQ-T1-E3

SI6467BDQ-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6925ADQ-T1-E3

SI6925ADQ-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6926ADQ-T1-GE3

SI6926ADQ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6467BDQ-T1-GE3

SI6467BDQ-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6926ADQ-T1-E3

SI6926ADQ-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6544BDQ-T1-GE3

SI6544BDQ-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6473DQ-T1-GE3

SI6473DQ-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6924AEDQ-T1-GE3

SI6924AEDQ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI6925ADQ-T1-GE3

SI6925ADQ-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.