Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SI5509DC-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4938292SI5509DC-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5509DC-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI5509DC-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI5509DC-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    1206-8 ChipFET™
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    52 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Power - Max
    4.5W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SMD, Flat Lead
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    455pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    6.6nC @ 5V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6.1A, 4.8A
  • Číslo základní části
    SI5509

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI5509DC-T1-GE3“.
SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5511DC-T1-E3

SI5511DC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5499DC-T1-GE3

SI5499DC-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5504DC-T1-E3

SI5504DC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5486DU-T1-E3

SI5486DU-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5513DC-T1-E3

SI5513DC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5499DC-T1-E3

SI5499DC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5485DU-T1-GE3

SI5485DU-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5515DC-T1-E3

SI5515DC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5486DU-T1-GE3

SI5486DU-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.