Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SI4931DY-T1-GE3

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

3304459

SI4931DY-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

2500+

$0.47

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SI4931DY-T1-GE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SI4931DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

1V @ 350µA
Dodavatel zařízení Package

8-SO
Série

TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power - Max

1.1W
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ostatní jména

SI4931DY-T1-GE3TR
SI4931DYT1GE3
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

33 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 4.5V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET Feature

Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss)

12V
Detailní popis

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

6.7A
Číslo základní části

SI4931

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SI4931DY-T1-GE3“.

SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.