Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SI3900DV-T1-GE3

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

5996295

SI3900DV-T1-GE3 Image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3900DV-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

3000+

$0.451

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SI3900DV-T1-GE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SI3900DV-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

1.5V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package

6-TSOP
Série

TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power - Max

830mW
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ostatní jména

SI3900DV-T1-GE3TR
SI3900DVT1GE3
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

33 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET Feature

Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss)

20V
Detailní popis

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

2A
Číslo základní části

SI3900

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SI3900DV-T1-GE3“.

SI3865CDV-T1-GE3

SI3865CDV-T1-GE3

Popis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3879DV-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3865BDV-T1-E3

SI3865BDV-T1-E3

Popis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3865CDV-T1-E3

SI3865CDV-T1-E3

Popis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3905DV-T1-GE3

SI3905DV-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3951DV-T1-GE3

SI3951DV-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3865BDV-T1-GE3

SI3865BDV-T1-GE3

Popis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3951DV-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3900DV-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Výrobci: Vishay Siliconix

Na skladě

SI3865DDV-T1-GE3

SI3865DDV-T1-GE3

Popis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3905DV-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3867DV-T1-GE3

SI3867DV-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3879DV-T1-GE3

SI3879DV-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3909DV-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3948DV-T1-GE3

SI3948DV-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3932DV-T1-GE3

SI3932DV-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3948DV-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3867DV-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3909DV-T1-GE3

SI3909DV-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3911DV-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.